Infineon OptiMOS™ IPB80N06S207ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 857-4506
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N06S207ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ IPB80N06S207ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

0,923 €

(ohne MwSt.)

1,098 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 - 1000	0,923 €	923,00 €
2000 - 4000	0,89 €	890,00 €
5000 +	0,879 €	879,00 €

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RS Best.-Nr.:: 857-4506
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N06S207ATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Produktdetails

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	86 nC bei 10 V
Breite	9.25mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C