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    Infineon OptiMOS™ -T2 IPD50N04S410ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 41 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    RS Best.-Nr.:
    857-4600
    Herst. Teile-Nr.:
    IPD50N04S410ATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.50 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    SerieOptiMOS™ -T2
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.9,3 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.41 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge6.73mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs14 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.22mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe2.41mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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