- RS Best.-Nr.:
- 857-4600
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S410ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 857-4600
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S410ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2
Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™.
OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.
OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.
N-Kanal – Anreicherungstyp
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Serie | OptiMOS™ -T2 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9,3 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 41 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 6.73mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 6.22mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 2.41mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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