Infineon OptiMOS™ -T2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 70 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
857-4613
Herst. Teile-Nr.:
IPD70P04P4L08ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

71 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Ausgenommen