Infineon OptiMOS T IPI100N10S305AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 300 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
857-4641
Herst. Teile-Nr.:
IPI100N10S305AKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.52mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

135 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

OptiMOS T

RoHS Status: Ausgenommen