Infineon OptiMOS T2 IPI45N06S4L08AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
857-4688
Herst. Teile-Nr.:
IPI45N06S4L08AKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

71 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 V

Breite

4.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

9.25mm

Serie

OptiMOS T2

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen