Infineon OptiMOS IPI70N10S312AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6732
Herst. Teile-Nr.:
IPI70N10S312AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

51 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.52mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.45mm

Serie

OptiMOS

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen