Infineon OptiMOS IPI80N06S2L11AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 158 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
857-6776
Herst. Teile-Nr.:
IPI80N06S2L11AKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

158 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

OptiMOS

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.25mm

RoHS Status: Ausgenommen