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    Infineon OptiMOS™ 3 IPP052N06L3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin TO-220

    Voraussichtlich ab 29.07.2024 verfügbar.
    Stück
    Nicht als Expresslieferung erhältlich

    Preis pro Stück (In einer Stange von 500)

    1,707 €

    (ohne MwSt.)

    2,031 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    Pro Stück
    Pro Stange*
    500 - 5001,707 €853,50 €
    1000 - 10001,621 €810,50 €
    1500 +1,519 €759,50 €

    *Bitte VPE beachten

    RS Best.-Nr.:
    857-6842
    Herst. Teile-Nr.:
    IPP052N06L3GXKSA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.80 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTO-220
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.4,7 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1.2V
    Verlustleistung max.115 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite4.57mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs37 nC @ 4,5 V
    Länge10.36mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe15.95mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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