Infineon CoolMOS CFD IPW65R150CFDAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 195,3 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)*

761,52 €

(ohne MwSt.)

906,24 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
240 - 2403,173 €761,52 €
480 - 9603,008 €721,92 €
1200 +2,843 €682,32 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-7117
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R150CFDAFKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

150 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

195,3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

16.03mm

Breite

5.16mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

86 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

21.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Serie

CoolMOS CFD