Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,4 A 1,56 W, 8-Pin DSO

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RS Best.-Nr.:
857-8494
Herst. Teile-Nr.:
BSO200P03SHXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

7,4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DSO

Serie

OptiMOS P

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,56 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4mm

Höhe

1.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C