Infineon SIPMOS BSP125H6433XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 857-8497
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3.5mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,4 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 45 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 1,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3.5mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,4 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.