Infineon CoolMOS C3 SPI11N65C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 857-8769
- Herst. Teile-Nr.:
- SPI11N65C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 857-8769
- Herst. Teile-Nr.:
- SPI11N65C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.52mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.52mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V | ||
Höhe 9.45mm | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||