STMicroelectronics MDmesh STW13N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
860-7426
Herst. Teile-Nr.:
STW13N60M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

15.75mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.75mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

20.15mm

Serie

MDmesh

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics