STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 250 W, 3-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 860-7523P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH150N10F7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 117nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.57 mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 117nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.57 mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.