STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
STP240N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.4mm

Breite

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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