STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 300 W, 3-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

40,30 €

(ohne MwSt.)

48,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
10 - 184,03 €
20 - 483,93 €
50 - 983,82 €
100 +3,725 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
860-7567P
Herst. Teile-Nr.:
STP240N10F7
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.75mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics