onsemi N-Kanal Hex, THT MOSFET 40 V / 150 A 115 W, 19-Pin PDIP
- RS Best.-Nr.:
- 862-9227
- Herst. Teile-Nr.:
- FTCO3V455A1
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 862-9227
- Herst. Teile-Nr.:
- FTCO3V455A1
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 19 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,86 mΩ | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 6 | |
| Breite | 29.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +120 °C | |
| Länge | 43.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 150 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 19 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,86 mΩ | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 6 | ||
Breite 29.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +120 °C | ||
Länge 43.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Höhe 5.2mm | ||