onsemi UltraFET HUFA75307T3ST N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,6 A 1,1 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
862-9328
Herst. Teile-Nr.:
HUFA75307T3ST
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,6 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

1,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.7mm

Länge

6.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.8mm

Serie

UltraFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C