onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 306 A 283 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 864-7947
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB016N04AL7
- Marke:
- ON Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 864-7947
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB016N04AL7
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 306 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,16 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 283 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Breite | 9.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 129 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 306 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,16 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 283 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.2mm | ||
Breite 9.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 129 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||