onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MLP6
- RS Best.-Nr.:
- 864-8186
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMB2308PZ
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- FDMB2308PZ
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | MLP6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 2,2 W, 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 2mm | |
| Länge | 3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.725mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße MLP6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 2,2 W, 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22 nC @ 4,5 V | ||
Breite 2mm | ||
Länge 3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.725mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||