onsemi PowerTrench FDMC86261P P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 40 W, 8-Pin Leistung 33
- RS Best.-Nr.:
- 864-8225
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86261P
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 864-8225
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86261P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | Leistung 33 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 269 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 3.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 3.3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.725mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße Leistung 33 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 269 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 3.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 3.3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.725mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||