onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 56 A, 130 A 2,2 W, 2,5 W, 8-Pin Leistung 56
- RS Best.-Nr.:
- 864-8363
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS3660AS
- Marke:
- ON Semiconductor
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- 864-8363
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- FDMS3660AS
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 56 A, 130 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | Leistung 56 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,7 mΩ, 11 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 2,2 W, 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, -12 V, +12 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V, 64 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 56 A, 130 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße Leistung 56 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,7 mΩ, 11 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 2,2 W, 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, -12 V, +12 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V, 64 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||