onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
865-1230
Herst. Teile-Nr.:
FCA20N60F
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-3PN

Serie

SuperFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

208 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

75 nC @ 10 V

Länge

16.2mm

Breite

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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