onsemi Einfach SuperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 20 A, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 865-1230
- Herst. Teile-Nr.:
- FCA20N60F
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30/30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 16.2mm | |
| Höhe | 20.1mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30/30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 16.2mm | ||
Höhe 20.1mm | ||
Breite 5 mm | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie hinzugefügt. Er bietet eine erstklassige robuste Body-Diode-Leistung in AC-DC-Schaltnetzteilen (SMPS) Anwendungen wie Server, Telekommunikation, Computer, industrielle Stromversorgung, USV/ESS, Solarwechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Durch den Einsatz einer fortschrittlichen Ladebalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkste Lösungen, die weniger Platz auf der Leiterplatte benötigen und die Zuverlässigkeit verbessern.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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