onsemi Einfach SuperFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 865-1230
- Herst. Teile-Nr.:
- FCA20N60F
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | SuperFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 20 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 208 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Höhe | 20.1 mm | |
| Länge | 16.2 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 190 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V, -30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie SuperFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 20 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 208 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Höhe 20.1 mm | ||
Länge 16.2 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 190 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V, -30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 5 mm | ||
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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