Infineon HEXFET IRFB3006GPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
865-5784
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3006GPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

270 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

200 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.83mm

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET