Infineon HEXFET IRFB3307PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
865-5800
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3307PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

200 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.66mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

120 nC @ 10 V

Breite

22.86mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Verfügbar bei den meisten Vertriebspartner

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard

Hoher Nennstrom