onsemi N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 10 A 52 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 867-3053
- Herst. Teile-Nr.:
- NDDP010N25AZ-1H
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- NDDP010N25AZ-1H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 420 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Verlustleistung max. | 52 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 420 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Verlustleistung max. 52 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 16 nC @ 10 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 7mm | ||