onsemi NTMFS4C09NG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 52 A 25,5 W, 8-Pin SO-8FL

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
867-3259
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS4C09NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

52 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SO-8FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.1V

Verlustleistung max.

25,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22,2 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.1mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C