Infineon HEXFET AUIRFN8403TR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 123 A 94 W, 8-Pin PQFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
872-4149
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFN8403TR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

123 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.6V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

5.85mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

64 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Serie

HEXFET

Höhe

1.17mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen