Infineon HEXFET IRFH7085TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 147 A 156 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 872-4170
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7085TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,736 € | 17,36 € |
| 20 - 40 | 1,546 € | 15,46 € |
| 50 - 90 | 1,443 € | 14,43 € |
| 100 - 190 | 1,337 € | 13,37 € |
| 200 + | 1,281 € | 12,81 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 872-4170
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7085TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 147 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 156 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 147 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.7V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 156 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 110 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Serie HEXFET | ||