Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 872-4202P
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7430TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin TO-263

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	522A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	750μΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	305nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	9.65mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 522A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 750μΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 305nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 9.65mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin TO-263

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