Vishay Siliconix TrenchFET SI7469DP-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 28 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
873-0976
Herst. Teile-Nr.:
SI7469DP-T1-E3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

28 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

29 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5.99mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

105 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5mm

Höhe

1.07mm

Serie

TrenchFET

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55 °C