IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

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RS Best.-Nr.:
875-2481P
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F180N25T
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

132A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

24

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

570W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

5.7mm

Länge

25.25mm

Breite

23.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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