IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 334 A 680 W, 24-Pin SMPD
- RS Best.-Nr.:
- 875-2497
- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1F420N10T
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 875-2497
- Herst. Teile-Nr.:
- MMIX1F420N10T
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 334 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SMPD | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 680 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 23.25mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 670 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 25.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 5.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 334 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SMPD | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 24 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 680 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 23.25mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 670 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 25.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 5.7mm | ||