IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 334 A 680 W, 24-Pin SMPD

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

26,48 €

(ohne MwSt.)

31,51 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
1 +26,48 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
875-2497
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F420N10T
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

334 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Gehäusegröße

SMPD

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

24

Drain-Source-Widerstand max.

2,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

680 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

670 nC @ 10 V

Länge

25.25mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

23.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

5.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C