IXYS CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 9-Pin SMPD
- RS Best.-Nr.:
- 875-2550
- Herst. Teile-Nr.:
- MKE38RK600DFELB
- Marke:
- IXYS
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- 875-2550
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- MKE38RK600DFELB
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | SMPD | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 23mm | |
| Länge | 25mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße SMPD | ||
Serie CoolMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 45 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 150 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 23mm | ||
Länge 25mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Höhe 5.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||