STMicroelectronics MDmesh STF11N65M2(045Y) N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
876-5635
Herst. Teile-Nr.:
STF11N65M2(045Y)
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

670 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,5 nC bei 10 V

Breite

4.6mm

Höhe

16.4mm

Serie

MDmesh

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics