STMicroelectronics MDmesh M2 STL18N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 715 V / 8 A 57 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
876-5673
Herst. Teile-Nr.:
STL18N65M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

715 V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

365 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

57 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Serie

MDmesh M2

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics