STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 876-5702P
- Herst. Teile-Nr.:
- STR2P3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STripFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.75 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.3mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.