STMicroelectronics MDmesh M2 STW56N60M2-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 52 A 350 W, 4-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
876-5724
Herst. Teile-Nr.:
STW56N60M2-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

52 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

55 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

350 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

91 nC @ 10 V

Länge

15.9mm

Breite

5.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

21.1mm

Serie

MDmesh M2

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Ursprungsland:
CN