STMicroelectronics STripFET F6 STB120N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
877-2851
Herst. Teile-Nr.:
STB120N4F6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Breite

9.35mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

STripFET F6

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ F6, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics