Infineon HEXFET IRFB7740PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 87 A 143 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
879-3328
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7740PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

87 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

143 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

81 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

16.51mm