Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
879-3353
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7730-7PPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

269 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

285 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.83mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MX