Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 197 A 294 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
879-3365
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7734-7PPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

197 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

3,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

294 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.54mm

Breite

9.65mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

180 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.83mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MX