Infineon OptiMOS 3 IPI032N06N3GAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2090
Herst. Teile-Nr.:
IPI032N06N3GAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

188 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

124 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.572mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

11.177mm

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C