Infineon OptiMOS 3 IPP040N06N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 90 A 188 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2153
Herst. Teile-Nr.:
IPP040N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

188 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

98 nC @ 10 V

Höhe

15.95mm

Serie

OptiMOS 3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C