Infineon OptiMOS 3 IPP086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2157
Herst. Teile-Nr.:
IPP086N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

15,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

OptiMOS 3

Höhe

15.95mm