Infineon OptiMOS T2 IPB80N03S4L03ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 94 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2191
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N03S4L03ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.45mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

10.31mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

4.572mm

Serie

OptiMOS T2

Betriebstemperatur min.

–55 °C