Infineon CoolMOS E6 IPA60R520E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,1 A 66 W, 3-Pin TO-220 FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2232
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R520E6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,1 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

520 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

66 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23,4 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS E6

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Höhe

15.95mm