Infineon CoolMOS E6 IPW60R280E6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A 104 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2239
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R280E6FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13,8 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

280 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

16.13mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

43 nC @ 10 V

Breite

5.21mm

Höhe

21.1mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Serie

CoolMOS E6

Betriebstemperatur min.

–55 °C