Infineon OptiMOS 3 IPA180N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 28 A 30 W, 3-Pin TO-220 FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2286
Herst. Teile-Nr.:
IPA180N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

28 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 10 V

Breite

4.85mm

Länge

10.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.15mm