Infineon OptiMOS 3 IPI147N12N3GAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 107 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2289
Herst. Teile-Nr.:
IPI147N12N3GAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

56 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.572mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V