Infineon OptiMOS 3 IPP530N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2305
Herst. Teile-Nr.:
IPP530N15N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

53 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

68 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,7 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

15.95mm

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C