Infineon OptiMOS 3 IPP530N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2305
Herst. Teile-Nr.:: IPP530N15N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 IPP530N15N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 21 A 68 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 892-2305
Herst. Teile-Nr.:: IPP530N15N3GXKSA1
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Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	21 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	53 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	68 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,7 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	15.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Serie	OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.	–55 °C